征載流子的數(shù)量增大的影響較之遷移率減小的半導(dǎo)體電阻率變化的影響更為嚴(yán)重，導(dǎo)致內(nèi)量子效率下降，溫度升高又導(dǎo)致電阻率下降，使同樣IF下，VF降低。如果不用恒流源驅(qū)動(dòng)LED，則VF降將促使IF指數(shù)式增加，這個(gè)過(guò)程將使LED PN 結(jié)上溫升更加快，最終溫升超過(guò)最大結(jié)溫，導(dǎo)致LED PN結(jié)失效，這是一個(gè)正反饋的惡性過(guò)程。 PN結(jié)上溫度升高，使半導(dǎo)體PN結(jié)中處于激發(fā)態(tài)的電子?空穴復(fù)合時(shí)從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷時(shí)發(fā)射出光子的過(guò)程發(fā)生退化。這是由于PN結(jié)上溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體晶格的振幅增大，使振動(dòng)的能量也發(fā)生增加，當(dāng)它超過(guò)一定值時(shí)，電子?空穴從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)回與晶格原子(或離子)交換能量，于是成為無(wú)光子輻射的躍遷，LED的光學(xué)性能退化。