日前，三星宣布推出業(yè)界首款第三代HBM2E內(nèi)存，新的HBM2E內(nèi)存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個封裝可以達到16GB的總?cè)萘?，并且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。

新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍，還可以顯著提高性能和電源效率，從而顯著改善下一代計算系統(tǒng)。通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊八層10nm級(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片來實現(xiàn)16GB的容量。然后，該HBM2E封裝以40,000多個“直通硅通孔”(TSV)微型凸塊的精確排列進行互連，每個16Gb裸片均包含5,600多個此類微小孔。

三星的Flashbolt通過利用專有的優(yōu)化電路設(shè)計進行信號傳輸，提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的數(shù)據(jù)傳輸速度，同時每個堆棧提供410GB / s的內(nèi)存帶寬。三星的HBM2E還可以達到4.2Gbps的傳輸速度，這是迄今為止最大的測試數(shù)據(jù)速率，在某些將來的應(yīng)用中，每個堆棧的帶寬高達538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星預(yù)計將在今年上半年開始量產(chǎn)。該公司將繼續(xù)提供其第二代Aquabolt產(chǎn)品陣容，同時擴展其第三代Flashbolt產(chǎn)品，并將在整個高端存儲器市場加速向HBM解決方案的過渡時，進一步加強與下一代系統(tǒng)中生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的合作。